研究者詳細情報
| 研究者 | 大平 圭介 |
|---|---|
| 大学 | JAIST マテリアルサイエンス系、環境・エネルギー領域 |
| 研究室名 | https://www.jaist.ac.jp/ms/labs/ohdaira/home.htm |
| 専門分野 | 太陽電池、半導体工学 |
| 研究テーマ | ・フラッシュランプ熱処理による高品質多結晶シリコン薄膜の形成とその太陽電池応用 ・触媒化学気相堆積の結晶Si太陽電池作製プロセスへの応用 ・n型結晶Si太陽電池モジュールの電圧誘起劣化 |
| 検索キーワード |
太陽電池、半導体工学、多結晶シリコン薄膜、触媒化学気相堆積
|
| PR URL | |
| PRタイトル名 | |
| PR詳細文 (図) |
|
| 特許 |
出願番号：特願2016-507447 ／ 特開番号： ／ 登録番号：特許第6396425号 ヘテロ接合太陽電池とその製造方法【課題】従来の、結晶シリコンとアモルファス・シリコンとのヘテロ接合を用いる太陽電池は、現在、最も成功した新構造の太陽電池と認知されているが、今後の一層の効率の向上には、まだなお、幾つかの創意工夫が必要である。 【解決手段】結晶シリコン表層の極浅い領域に、リンまたはボロンがドープされた層を、ホスフィンやジボラン等のリンやボロンを含む原料ガスを１，０００°C以上に加熱された金属触媒体線との接触により生成された種に結晶シリコンが曝されることにより３５０°C以下の低温で形成するという新手法を提案し、上述の技術課題を解決したものである。ここでは、この、新手法を「Ｃａｔ－ｄｏｐｉｎｇ法」と呼ぶことにする。 |
| 論文 | |
| 科研費 |