特許詳細

出願番号	特願2016-507447
登録番号	特許第6396425号
国際特許分類	Ｈ０１Ｌ 31/0747 (2012.01), Ｈ０１Ｌ 31/18 (2006.01)
発明名称	ヘテロ接合太陽電池とその製造方法
出願人又は権利者	JAIST
研究者	大平　圭介
研究分野	デバイス
用途	製造技術 デバイス装置 電子材料
要約 課題	従来の、結晶シリコンとアモルファス・シリコンとのヘテロ接合を用いる太陽電池は、現在、最も成功した新構造の太陽電池と認知されているが、今後の一層の効率の向上には、まだなお、幾つかの創意工夫が必要である。
要約 解決手段	結晶シリコン表層の極浅い領域に、リンまたはボロンがドープされた層を、ホスフィンやジボラン等のリンやボロンを含む原料ガスを１，０００°C以上に加熱された金属触媒体線との接触により生成された種に結晶シリコンが曝されることにより３５０°C以下の低温で形成するという新手法を提案し、上述の技術課題を解決したものである。ここでは、この、新手法を「Ｃａｔ－ｄｏｐｉｎｇ法」と呼ぶことにする。
問い合わせ先	JAIST 産学官連携推進センター 0761-51-1070
更新日	2019/04/25