研究者詳細情報
研究者 | ダム ヒョウ チ |
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大学 | JAIST 知識科学系、知識マネジメント領域 |
研究室名 | |
専門分野 | マテリアルインフォマティクス,データマイニング,計算材料科学 |
研究テーマ | マテリアルインフォマティクス,データマイニング,計算材料科学 |
検索キーワード |
マテリアルインフォマティクス,データマイニング、第一原理計算、精密構造解析、計算材料科学
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PR URL | |
PRタイトル名 | |
PR詳細文 (図) |
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特許 |
出願番号:特願2006-051288 / 特開番号: / 登録番号:3962816 配位高分子およびその製造方法ならびにそれを用いた素子【課題】強誘電性を示す新規な配位高分子、およびその製造方法、ならびにそれを用いた素子を提供する。 【解決手段】本発明の配位高分子は、ジチオカルバミン酸の誘導体と塩素イオンと銅イオンとによって構成された配位高分子であって、銅イオンが、ジチオカルバミン酸の誘導体および塩素イオンから選ばれる少なくとも1つによって架橋されている。上記ジチオカルバミン酸の誘導体は、炭素数が3以上の脂肪族炭化水素基が窒素原子に結合した構造を有する誘導体である。この配位高分子は、2つのジチオカルバミン酸誘導体を配位子として含む銅錯体と、塩化銅(II)とを、それらの溶液中で反応させることによって、形成できる。 |
論文 | |
科研費 |