特許詳細

出願番号	特願2006-051288
登録番号	3962816
国際特許分類	Ｃ０７Ｃ 333/20 (2006.01) Ｈ０１Ｌ 21/8246 (2006.01) Ｈ０１Ｌ 27/105 (2006.01) Ｈ０１Ｌ 27/28 (2006.01) Ｈ０１Ｌ 51/05 (2006.01), Ｈ０１Ｌ 41/08 (2006.01), Ｈ０１Ｌ 21/312 (2006.01), Ｃ０７Ｆ 1/08 (2006.01)
発明名称	配位高分子およびその製造方法ならびにそれを用いた素子
出願人又は権利者	JAIST
研究者	ダム　ヒョウ　チ
研究分野	材料デバイス
用途	製造技術 電子材料 材料
要約 課題	強誘電性を示す新規な配位高分子、およびその製造方法、ならびにそれを用いた素子を提供する。
要約 解決手段	本発明の配位高分子は、ジチオカルバミン酸の誘導体と塩素イオンと銅イオンとによって構成された配位高分子であって、銅イオンが、ジチオカルバミン酸の誘導体および塩素イオンから選ばれる少なくとも１つによって架橋されている。上記ジチオカルバミン酸の誘導体は、炭素数が３以上の脂肪族炭化水素基が窒素原子に結合した構造を有する誘導体である。この配位高分子は、２つのジチオカルバミン酸誘導体を配位子として含む銅錯体と、塩化銅（II）とを、それらの溶液中で反応させることによって、形成できる。
問い合わせ先	JAIST 産学官連携推進センター 0761-51-1070
更新日	2019/01/18