しらさぎプロジェクト大学開放特許データベース(単願&発明者検索)

研究者詳細情報
研究者 佐伯 淳
大学 富山大学 都市デザイン学部材料デザイン工学科
研究室名 大学院理工学研究部 ? ナノ・新機能材料学域 ? ナノマテリアル・システムデザイン学系
専門分野 薄膜・表面界面物性無機材料・物性
研究テーマ ・セラミックス薄膜の作成に関する研究
・セラミックスの電気的性質に関する研究
・X線解析に関する研究
検索キーワード
電気化学堆積法 / パルス電場印可 / 縞状析出 / パターニング / 薄膜 / 水溶液 / 外部刺激 / 定在波  薄膜プロセス / 差動排気同時成膜 / 硬質膜 / ナノコンポジット膜 / 高分解能電子顕微鏡 / イオン伝導性 / 多層薄膜 / 酸化還元反応 / 機能性薄膜 / r.f.-スパッタリング
PR URL http://www3.u-toyama.ac.jp/mater13/index.html
PRタイトル名 ジルコニア(YSZ,CSZ)材料のプロセスの基礎研究
PR詳細文 (図)
特許
論文

(1)Surface morphology of YSZ thin films deposited from a precursor solution under the electrical fields

A,Saiki, T. Hashizume, K.Hamada

Ceramic Transactions ( 243 ) 193 - 199 2014年01月


(2)Preparation of the brookite-type titanium oxide nanocrystal by hydrothermal synthesis

S.Kitahara, T. Hashizume, A.Saiki

Ceramic Transactions ( 246 ) 119 - 124 2014年01月


(3)Fabrication of CeO2/Al multilayer thin films and the thermal behavior

K.Kurokawa, T. Hashizume, A.Saiki

Ceramic Transactions ( 246 ) 33 - 41 2014年01月


(4)Fabrication of K2Ta2O6 by hydrothermal method and their optical property

A.Saiki, T. Hashizume

Ceramic Transactions ( 244 ) 119 - 125 2014年01月


(5)Ta-O-N thin films deposited by low vacum reactive sputtring

T. Hashizume, H.Nakagawa, A,Saiki

Ceramic Transactions ( 244 ) 101 - 106 2014年01月


科研費

(1)溶液中の定在波環境場を利用したセラミックス薄膜ダイレクトパターニング法の確立

基盤研究© 2014-04-01 ~ 2017-03-31

[外場変動型電気化学堆積装置の改良]
前年度に引き続き、前駆体水溶液からの分解析出反応を利用するのに最適化した成膜装置の改良を行い、作成を行った。結晶性を促進するのと同時に薄膜中に周期構造を形成する目的で基板直上にファンクションジェネレーターで生成した低周波~高周波領域で様々な波形の電場を変化させるユニットを組み込んだ。対向電極は2軸方向にもうけ、第1軸方向は成膜用の電極として用いて、他の1軸方向は外部刺激による定在波又は変動用として成膜電極に対して直交して配置し、それぞれ独立した電源を用いた。印可電圧・周波数を変動させ、又各電流、抵抗値(インピーダンス)を成膜条件の設定のために、さらに各種変化をその場観察できるように測定装置も組み込んで随時モニターし解析している。今後二次元のパターンが成膜できるように、外部刺激用の電極を更に一組追加する予定である。
[電気化学堆積法による水溶液からの薄膜の作成]
本研究では今までに蓄積した成膜条件を元に原料として、ZrO(NO3)2・H2O、Y(NO3)3・6H2O、NH4OH、H2O2等を混合した水溶液を用いた。基本的にはpH変化による析出反応を利用する。電気化学堆積法では溶液中のイオンの移動と極板近傍での分解析出反応を利用しての成膜を行うため電圧電流の精密な制御が必要となる。成膜したままではOH基が残留し結晶性が十分でないため熱処理を行うが、低環境負荷を考慮して500℃での膜形成を行った。基板としては光学特性の利用や大面積化を目的としているのでガラス基板を用いた。パルス電場を印可して成膜した場合には基板直上で形成される定在波の節に相当する縞状の部分にのみ成膜することが確認できた。また印可パルスの周期性と、成膜電流の周期性、縞状析出膜の間隔の間に一定の関連があるとも見いだした。