特許詳細

出願番号	2019-157855
登録番号
国際特許分類	H01L 21/20, H01L 21/205, C30B 29/36, C23C 14/02, C23C 16/01
発明名称	半導体積層構造体の製造方法及び半導体積層構造体
出願人又は権利者	福井大学
研究者	橋本　明弘
研究分野	情報･通信材料製造
用途	製造技術 電子材料
要約 課題	従来に比べて低転位密度の半導体層を形成する半導体積層構造体の製造方法及び半導体積層構造体を提供する。
要約 解決手段	半導体積層構造体の製造方法は、基板１上にシングルドメインのシード層２が臨界膜厚以下で積層される工程と、シード層２が積層された基板１が熱処理されてシード層２との界面に犠牲層３１が形成され、基板１とシード層２との結合を分子間力を主とした結合とすることでシード層２が犠牲シード層３０とされる工程と、犠牲シード層３０上に単元素又は化合物の半導体結晶層４が成長される工程とを含む。
問い合わせ先	福井大学 産学官連携本部 0776-27-8956
更新日	2021/01/22