特許詳細

出願番号	2016-145940
登録番号	6744525
国際特許分類	H01L 21/66
発明名称	顕微光応答法による結晶成長層の界面評価方法
出願人又は権利者	福井大学
研究者	塩島　謙次
研究分野	情報･通信材料製造
用途	電気 電気・磁気 電子材料
要約 課題	【課題】顕微光応答法の利用によるさらに高度な結晶評価技術を得ることを目的とするもので、前記界面における異なる物理現象を評価できるようにする。
要約 解決手段	【解決手段】界面にレーザー光を照射することによって得られた光応答スペクトルから二以上の障壁高さが存在すると判断した場合に、各々の障壁高さ（ｑφＢ１，ｑφＢ２，・・）によって光電子収率（Photoyield:Ｙ）が変位する変位点（ｈνｓ）を境として、この変位点（ｈνｓ）と基礎吸収の開始点（ｈνｂ）との間のｈνｓ＜ｈν１＜ｈνｂとなる光子エネルギーｈν１のレーザー光Ｉと、ｈνｂ＜ｈν２＜ｈνｐ（ｈνｐ：光電子収率Ｙのピーク値）となる光子エネルギーｈν２のレーザー光ＩＩとを前記界面に照射し、レーザー光Ｉ，ＩＩのそれぞれを前記界面に対して走査させながら、レーザー光Ｉ，ＩＩのそれぞれについて前記界面における二次元的な光電子収率Ｙの分布及び／又は光電流像を得るようにした。【選択図】図４
問い合わせ先	福井大学 産学官連携本部 0776-27-8956
更新日	2021/01/25