特許詳細

出願番号	2012-159548
登録番号	特許第6033594号
国際特許分類	Ｈ０１Ｌ 29/786 (2006.01), Ｈ０１Ｌ 21/336 (2006.01)
発明名称	薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
出願人又は権利者	JAIST
研究者
研究分野	製造デバイス
用途	製造技術 デバイス装置 電子材料
要約 課題	多元系酸化物によって形成されたゲート絶縁層又はチャネルを持つ薄膜トランジスタを、高い特性を持った物として実現すること、また、ゲート絶縁層及び／又はチャネルのそれぞれの高性能化に加えて、それらを積み重ねたときの全体としての性能向上を図ること。さらに、製造のための処理や所要時間の縮減と、大面積化への対応。
要約 解決手段	本発明の１つの薄膜トランジスタは、ゲート電極とチャネルとの間に、シリコン酸化物（不可避不純物を含み得る）を含むゲート絶縁層を備えている。加えて、この薄膜トランジスタは、前述のチャネルが、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）とを含むとともに、そのインジウム（Ｉｎ）を１としたときに０．０４６以上０．３７５以下の原子数比となるジルコニウム（Ｚｒ）を含むチャネル用酸化物（不可避不純物を含み得る）である。 また、本発明の１つの薄膜トランジスタの製造方法は、ポリシラザン（ｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ）を溶質とするゲート絶縁層用前駆体溶液を出発材とするゲート絶縁層用前駆体層を、水蒸気含有雰囲気中において加熱することにより、シリコン酸化物（不可避不純物を含み得る）を含むゲート絶縁層を形成するゲート絶縁層形成工程を、そのゲート電極層の形成工程とチャネル用酸化物（不可避不純物を含み得る）を形成するチャネルの形成工程との間に含んでいる。加えて、この薄膜トランジスタの製造方法においては、前述のチャネルの形成工程が、インジウム（Ｉｎ）を含む前駆体、亜鉛（Ｚｎ）を含む前駆体、及びそのインジウム（Ｉｎ）を１としたときに０．０４６以上０．３７５以下の原子数比となるジルコニウム（Ｚｒ）を含む前駆体を溶質とするチャネル用前駆体溶液を出発材とするチャネル用前駆体層を、酸素含有雰囲気中において加熱することにより、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）とを含むとともに、前述のインジウム（Ｉｎ）を１としたときに０．０４６以上０．３７５以下の原子数比となるジルコニウム（Ｚｒ）を含むチャネル用 酸化物（不可避不純物を含み得る）を形成する工程である。
問い合わせ先	JAIST 産学官連携推進センター 0761-51-1070
更新日	2019/07/05