特許詳細

出願番号	2017-052989
登録番号
国際特許分類	H01L 21/336,H01L 29/788,H01L 29/792,H01L 27/11585,H01L 29/78
発明名称	ＭＦＳ型の電界効果トランジスタ
出願人又は権利者	金沢大学
研究者
研究分野	製造デバイス
用途	デバイス装置
要約 課題	ドーパントとしてホウ素を用いたダイヤモンドの上に強誘電体を絶縁膜としてゲート電極を形成した電界効果トランジスタの提供を目的とする。
要約 解決手段	ドーパントとしてホウ素を用いたボロンドープダイヤモンドの上に、ゲート絶縁膜として強誘電体が用いられていることを特徴とする。
問い合わせ先	金沢大学 先端科学・イノベーション推進機構 076-264-6111
更新日	2018/11/07