特許詳細
出願番号 | 2011-048415 |
登録番号 | 5756657 |
国際特許分類 | C23C 18/20 |
発明名称 | 金属メッキ材料の製造方法 |
出願人又は権利者 | 福井大学 |
研究者 | 庄司 英一 |
研究分野 | 材料製造 |
用途 | 製造技術 電気・磁気 |
要約 課題 | マスキングテープを必要とせず、フォトリソグラフィー法を利用した電極の製造方法よりも効率よく金属メッキ材料を製造することができる金属メッキ材料の製造方法を提供すること。 |
要約 解決手段 | 高分子材料を用いて金属メッキ材料を製造する方法であって、前記高分子材料として高分子電解質材料を用い、所定のパターンを有するマスクを介して当該高分子電解質材料の表面にイオン注入を行なった後、当該高分子電解質材料に無電解メッキを施すことを特徴とする金属メッキ材料の製造方法。 |
問い合わせ先 |
福井大学 産学官連携本部 0776-27-8956 |
更新日 | 2018/07/02 |