特許詳細

出願番号	2014-105646
登録番号	6356486
国際特許分類	H01L 27/105,H01L 45/00,H01L 49/00,H01L 21/8246
発明名称	抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法
出願人又は権利者	金沢大学
研究者
研究分野	製造デバイス
用途	デバイス装置
要約 課題	強誘電体を用いた抵抗変化型メモリにおいて、より簡単な構造にて強誘電性に起因した電気特性を発現させ、抵抗変化型メモリをより安定に動作させる。
要約 解決手段	抵抗変化型メモリ１００は、強誘電体層１と、第１電極層３と、第２電極層５と、を備える。強誘電体層１は、ＢｉＦｅＯ３のＢｉの一部がＮｄ又はＥｒによって元素置換された強誘電体により形成される。第１電極層３は、強誘電体層１の第１主面Ｐ１上に、強誘電体層１の分極により変化する第１エネルギー障壁Ｅ１、Ｅ１’、Ｅ１’’を有するように形成される。第２電極層５は、強誘電体層１の第２主面Ｐ２上に、強誘電体層１の分極により変化する第２エネルギー障壁Ｅ２、Ｅ２’、Ｅ２’’を有するように形成される。
問い合わせ先	金沢大学 先端科学・イノベーション推進機構 076-264-6111
更新日	2017/12/01