特許詳細

出願番号	2004-331688
登録番号	3845734
国際特許分類	G11C 11/41,G11C 13/00,
発明名称	不揮発性メモリ
出願人又は権利者	金沢大学
研究者
研究分野	デバイス
用途	デバイス装置
要約 課題	抵抗変化メモリを用いた不揮発性メモリの提供
要約 解決手段	Ｐ０，Ｎ０とＰ１，Ｎ１とを相互に接続して、通常のＣＭＯＳによるＳＲＡＭの１ビット分の回路を構成している。これに抵抗変化メモリ素子（相変化メモリ素子）Ｒｒ，Ｒｍをそれぞれ、Ｐ０，Ｎ０及びＰ１，Ｎ１に直列に接続している。Ｎａ０，Ｎａ１は、ワード線ＷＬに接続されているゲート回路を構成しており、各ＳＲＡＭ回路部への入出力制御を行っている。Ｒｒは参照抵抗であり、他の一方のＲｍが高抵抗（論理値１）と低抵抗（論理値０）との間を変化する。読み出し書き込み時は、点線で示したＳＲＡＭ回路部は通常のＳＲＡＭとして動作させている。電源が消える前に、ストア線ＳＴＲの電圧を変化させ、ＮｓによりＲｍに電流を流すことで、ＳＲＡＭ回路部に記憶されている論理値を移す。電源が入ると、Ｒｍに移された記憶内容を、ＳＲＡＭ回路部に戻す。
問い合わせ先	金沢大学 先端科学・イノベーション推進機構 076-264-6111
更新日	2017/12/01