特許詳細
| 出願番号 | 2012-241718 |
| 登録番号 | |
| 国際特許分類 | H01L 21/205,C23C 16/24 |
| 発明名称 | 複数の基板上へシリコン膜を一括して形成する方法 |
| 出願人又は権利者 | JAIST |
| 研究者 | |
| 研究分野 | 製造デバイス |
| 用途 | デバイス装置 |
| 要約 課題 | 一度の処理によって複数の基板上にシリコン膜を形成するための方法であって、プロセスコストが安く、作業効率が高い、前記方法を提供することを提供すること。 |
| 要約 解決手段 | 本発明は、複数の基板を積み重ねて加熱した状態で、常圧下で、シラン化合物を含有するＣＶＤ原料を加熱して発生した気化物と接触させることを特徴とする、複数の基板上へシリコン膜を一括して形成する方法に関する。 |
| 問い合わせ先 |
JAIST 産学官連携推進センター 0761-51-1070 
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| 更新日 | 2017/12/01 |