しらさぎプロジェクト大学開放特許データベース(単願&発明者検索)

特許詳細
出願番号 2012-241718
登録番号
国際特許分類 H01L 21/205,C23C 16/24
発明名称 複数の基板上へシリコン膜を一括して形成する方法
出願人又は権利者 JAIST
研究者
研究分野 製造デバイス
用途 デバイス装置
要約 課題 一度の処理によって複数の基板上にシリコン膜を形成するための方法であって、プロセスコストが安く、作業効率が高い、前記方法を提供することを提供すること。
要約 解決手段 本発明は、複数の基板を積み重ねて加熱した状態で、常圧下で、シラン化合物を含有するCVD原料を加熱して発生した気化物と接触させることを特徴とする、複数の基板上へシリコン膜を一括して形成する方法に関する。
問い合わせ先 JAIST
産学官連携推進センター
0761-51-1070
JAIST産学官連携推進センター
更新日 2017/12/01