特許詳細

出願番号	2012-159548
登録番号
国際特許分類	H01L 29/786,H01L 21/33
発明名称	薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
出願人又は権利者	JAIST
研究者
研究分野	製造デバイス
用途	デバイス装置
要約 課題	酸化物をチャネル及びゲート絶縁層に適用した薄膜トランジスタの高性能化と該薄膜トランジスタの製造プロセスの簡素化を実現する。
要約 解決手段	本発明の１つの薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極２０とチャネル４４との間に、シリコン酸化物（不可避不純物を含み得る）を含むゲート絶縁層３４を備える。加えて、薄膜トランジスタ１００のチャネル４４は、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）とを含むとともに、インジウム（Ｉｎ）を１としたときに０．０４６以上０．３７５以下の原子数比となるジルコニウム（Ｚｒ）を含むチャネル用酸化物（不可避不純物を含み得る）である。
問い合わせ先	JAIST 産学官連携推進センター 0761-51-1070
更新日	2017/12/01