特許詳細

出願番号	2010-138027
登録番号	5545567
国際特許分類	C30B 29/04,C23C 14/14,C23C 16/27,H01L 21/20
発明名称	単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法
出願人又は権利者	金沢大学
研究者
研究分野	製造デバイス
用途	デバイス装置
要約 課題	結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも安価で大面積なダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド成長用基材、及び安価に大面積高結晶性単結晶ダイヤモンドを製造する方法を提供する。
要約 解決手段	単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材１０，１０’であって、少なくとも、種基材１１、１１’と、該種基材１１、１１’の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、白金膜、ロジウム膜のいずれか１２からなり、前記種基材１１，１１’は、グラファイト１１’か、またはベース基材１１ａ上にグラファイト層１１ｂが形成されたものである単結晶ダイヤモンド成長用の基材。
問い合わせ先	金沢大学 先端科学・イノベーション推進機構 076-264-6111
更新日	2017/12/01